PNY MN4GSD42666 4GB DDR4 Laptop Arbeitsspeicher - Ungepuffert SODIMM

Entdecken Sie das PNY Performance RAM DDR4, ein leistungsstarker Speicherbaustein, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde.

Mit einem beeindruckenden 4 GB SO DIMM 260-PIN Design bietet dieser DDR4 Speicher eine Geschwindigkeit von 2666 MHz (PC4-21300), die Ihnen eine bemerkenswerte Leistung und Effizienz bei Ihren Rechenoperationen garantiert.

Die nicht gepufferte Bauweise und der non-ECC (Error-Correcting Code) Standard machen diesen RAM zu einer idealen Wahl für alltägliche Computeraufgaben, ohne dabei die Komplexität und Kosten von ECC-Speicher zu erhöhen.

Die CL19 Latenzzeiten sorgen für reibungslose Datenübertragungen, während die 1.2 V Spannung den Energieverbrauch optimiert und gleichzeitig eine stabile Leistung gewährleistet.

Ob Sie ein Gaming-Enthusiast sind oder einfach nur Ihre alltäglichen Computeranwendungen verbessern möchten, das PNY Performance RAM DDR4 ist die perfekte Lösung für Ihre Bedürfnisse.

• Kapazität: 4 GB
• Speichertyp: DDR4 SDRAM
• Formfaktor: SO DIMM 260-PIN
• Geschwindigkeit: 2666 MHz (PC4-21300)
• Latenzzeiten: CL19
• Datenintegritätsprüfung: Non-ECC
• Besonderheiten: Ungepuffert
• Spannung: 1.2 V
• Farbkategorie: Schwarz

Die vielseitige Anwendbarkeit dieses RAMs macht es zu einer hervorragenden Wahl für eine Vielzahl von Nutzungsszenarien, darunter:

• Gaming: Verbessern Sie Ihre Spielerfahrung mit schnelleren Ladezeiten und flüssigem Gameplay.
• Multimedia-Bearbeitung: Nutzen Sie die hohe Geschwindigkeit und Kapazität für reibungslose Video- und Bildbearbeitung.
• Büroanwendungen: Erleben Sie eine verbesserte Produktivität bei der Verwendung von Office-Anwendungen und Multitasking.
• Alltagsgebrauch: Genießen Sie eine schnellere Reaktionszeit und verbesserte Systemleistung bei alltäglichen Aufgaben.

Erleben Sie die Vorteile des PNY Performance RAM DDR4 und steigern Sie die Effizienz Ihres Systems mit einem Produkt, das Leistung, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit vereint.